新存储器速度超现有闪存500倍 有望成为SSD成主流

提倡“电子自旋永不停止”的Everspin前年曾推过一款16MB的MRAM产品。MRAM，磁阻随机存取存储器，是一种非易失性存储技术，利用磁隧道结构和电子自旋的原理存储数据，具备速度超快的优势。早在2006年，还隶属飞思卡尔半导体的Everspin就已经推出了全球第一款商业化MRAM产品。

前天，Everspin正式宣布推出自有品牌的ST-MRAM转矩磁阻随机存取存储器芯片，世界首款商用ST-MRAM产品投放市场。如果你不能理解它的原理也不要紧，只要知道它的速度就可以了——性能方面ST-MRAM的读写速度达到了普通NAND闪存介质的500倍。

当下主流NAND模组的读写速度基本在800 iOPS左右，而ST-MRAM的这一数字达到了惊人的400000。虽然速度是几何级数的增长，但价格也完全不含糊，是普通固态闪存介质的50倍，而且MRAM的结构比Flash复杂很多，电磁结合令整体功耗亦不理想。就其目前的市场情况来看，似乎充当当前SSD固态存储产品的缓存，作为SSD的补充是个相当不错的主意。

目前Everspin的DDR3 64MB产品已经开始出货，Everspin也表示未来有望生产GB级别容量的ST-MRAM产品，存取速度也将伴随更快成长。

在摩尔定律的督促下，MRAM存储介质未来或将在成本和功耗上有更佳控制。只不过在此之前，发展已有15年历史的MRAM技术仍有很长的路要走。