三星推出新一代内嵌式存储颗粒 相比当前提速10倍

据国外媒体报道，三星今天正式发布了一款适用于移动电子设备的体积更小速度更快的 64 GB 内嵌式存储器——64GB eMMC Pro Class 2000，这意味着三星明年的 Galaxy S IV 和Note III 将采用超快速 64 GB 内嵌式存储器，而且它所占内部面积将比当前的 NAND 闪存芯片少 20%。所谓 eMMC 是指针对智能手机、平板电脑等移动设备市场而推出的存储类存储器。 

三星称这款 64 GB eMMC 内嵌式存储器采用 10nm 技术制造，速度比当前解决方案快  30%，但是它在手机或者平板内所占的空间更少，可为其他零部件腾出位置。64GB eMMC Pro Class 2000 的任意书写速度达到 2000 IOPS、任意读取速度达 5000 IOPS。另外，它的连续读取速度和书写速度各为 260MB/s和 50MB/s，该速度与高速外置存储卡 Class 10 的读取速度 24MB/s、书写速度 12MB/s 相比快 10 倍以上。

三星内存芯片营销副总裁 Myungho Kim 称，这款新的小巧高速 eMMC 存储器将进一步巩固三星在储存记忆体解决方案领域的技术领先地位。三星希望扩大内嵌式存储器产品线，努力研发系统级应用程序处理器以及关键性零部件，为先进的移动平台打好基础。