高通再被打脸？骁龙820过热传闻并不靠谱！

关于骁龙810的过热问题，尽管高通一直不肯承认，但还是被残酷的现实和舆论批评不断地打脸，今年以来多少厂商旗舰被迫推迟发布，最坑的或许就是过热的ONE M9将HTC搞残了。

骁龙810让高通陷入如此难堪的境地，所以采用新制程的下一代旗舰骁龙820备受期待。然而，事情进展的似乎让人又一次对高通失望，因为近日有国外网友爆料称，骁龙820和骁龙810一样存在过热问题。

一位名叫Riccolo的网友在Twitter写道：“在发热问题上，骁龙810芯片和骁龙820芯片没有区别。想要解决此问题，你只能耐心地等待骁龙830吧。”该网友同时还提到，骁龙830处理器要等到2016年的第三季度才会发布。

这则爆料发出后立刻引发了舆论的轩然大波，早前还沉浸在骁龙820高达8万5的跑分惊喜中的人们就像被泼了头冷水。

不过爆料者Ricciolo在Twitter上并没有提供任何可以支持其这番定论的证据，这也是目前首次曝出骁龙820仍然存在过热的消息，真实性很值得推敲。

早前就有消息称骁龙820的第一版已经发给首批“design in”客户测试了。除了Nexus超高跑分的曝光，这则爆料也很可能出自高通骁龙820的首批测试客户。而如果是这样的话，说明该厂商仅仅是刚刚拿到骁龙820不久。

而据业内人士称，整个功耗散热等相关系统要调教到一个基础级别至少需要两个月时间，所以，短时间的测试几乎不可能对骁龙820是否存在发热问题的产生客观定论，合理的测试结果在8，9月份才会出现。

所以看来这则爆料内容如此快的对骁龙820的发热盖棺定论，是非常鲁莽和武断的，不足以取信。

另外，根据骁龙820的制程工艺来看，如果还是存在过热问题那只能说明高通大幅退步了。骁龙820处理器采用全新14nm FinFET制程工艺，这比20nm工艺的骁龙810先进的不是一点半点，在功耗上根本不能和骁龙810处在一个级别。

骁龙820是高通翻身放大招的力作，不容得再被批评过热。早前采用自家构架的高通处理器并未被曝过发热问题。因此骁龙820还放弃了骁龙810身上的ARM公版构架，采用了自主研发的64位Kryo内核(Zeroth技术平台)。显然高通对自己的架构更加熟悉，解决发热问题难度并不大，甚至有消息称骁龙820在不超频的情况下竟能达到夸张的3GHz，8万5跑分只是个开始。