紧随三星 海力士成功研发40nm DDR3内存

    近日，继三星之后，海力士也宣布完成了40nm工艺1Gb DDR3 DRAM内存芯片的研发。

    海力士称，该芯片符合Intel DDR3技术规范，相关内存模组也即将送交Intel进行认证。此前三星的40nm DDR3内存已经通过了Intel GM45平台的认证。

    海力士称，新的1Gb DDR3最高速度可达2133MHz，运行电压范围很广，预计今年第三季度投入批量生产，效率可比50nm产品线提高50％以上，而且通过采用三维晶体管架构技术，漏电问题被降到了最低，整体功耗也进一步减少。

    海力士还将在今后把40nm工艺引入大容量内存模组、移动型DRAM、图形DRAM(显存)等产品。