技术难题已攻克 AMD明年进军32nm或22nm
英特尔在快速的提升着自己半导体晶片的制造工艺技术，在最新的32nm工艺制程中甚至将有至少22%性能的提升，32nm工艺制程将采用第二代高k+金属栅极晶体管，该制程技术以大获成功的45纳米制程技术为基础…… 这一切，仿佛都让人们感觉
英特尔在快速的提升着自己半导体晶片的制造工艺技术，在最新的32nm工艺制程中甚至将有至少22%性能的提升，32nm工艺制程将采用第二代高k+金属栅极晶体管，该制程技术以大获成功的45纳米制程技术为基础……
这一切，仿佛都让人们感觉到英特尔已经完全拉开了与AMD的距离。面对英特尔咄咄逼人的32nm，面对利用金融危机想甩开所有对手的英特尔，AMD会如何走32nm之路。
AMD：2010年将进入32nm 产能由FAB 38晶圆厂包办
根据规划，AMD最快也将在2010年进入32nm工艺制程，目前看来如果AMD要想成为这场工艺争霸的主角，明年的32nm芯片对AMD将至关重要。
在德国慕尼黑举行的一次会议中，FAB 36晶圆厂副总透露，晶圆代工工厂一个月的产能将会达到50000晶圆——一个相当可观的数字。此外，ATI的显示核心也将会在Dresden投产，不过这要到明年年底才能实现，届时The Foundry Company已经正式跨入32nm制成。为此，AMD正在积极准备、购买的32nm制程生产技术和设备。
AMD刚刚拆分出去的晶圆代工工厂——The foundry表示在2010年将采用32nm制程工艺生产High-K处理器。尽管没有得到确切日期，但想必不会在2010年之前，处理器技术上明显落后英特尔。
按照AMD的官方日程表，32nm将在明年推出
以服务器市场为例，英特尔在07年底即已进入四核心及45纳米制程，相较之下，AMD受累于四核心处理器延迟出货，虽然08年底成功破除市场延后传言，赶上既定时间推出45纳米的上海处理器，但45纳米制程的AMD Opteron处理器也要等到明年才会推出。
为迎头赶上英特尔，在导入32纳米之前，AMD拟以核心数与英特尔竞赛，在四核心处理器后，明年下半年将推出六核心的Istranbul，2010年还将分别推出六核心的Sao Paolo及12核心的Magny-Cours，除采用6MB大容量的L3高速缓存外，并将开始支持DDR3内存。
AMD技术上的落后也已反应在其市场表现上。07年第一季AMD在服务器市占上一度取得近10%的好成绩，但后来因为Barcelona延后供货的影响，到08年第二季已降到3.5%。刀片服务器市占也从07年第四季最高峰时的1成，降到08年第二季的6.7%。
按照两大芯片巨头之间普遍实施的2年竞赛制来看，AMD采用32纳米制程工艺的时间多半在2010年年底。
2010年32纳米处理器将交由位于德累斯顿的Fab 38工厂生产。
对于AMD来说，大胆放言设定32纳米制程工艺推出时间，本身就是一个非常大的进步，而且ATI可能会率先推出32纳米绘图芯片。
在2009年及其之后，AMD Fab 38工厂将升级完毕，而AMD的生产模式也会有所变化，不再特别强调生产工厂和产品的差异，而是混合在了一起，这涉及Fusion、Bulldozer、Bobcat等各种处理器。
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AMD的32nm工艺：启用High-K电介质、金属栅极等技术，芯片频率提高10%，功耗降低10%
在45nm时代时，AMD就使用应变硅和Ultra-Low-K电介质，将芯片性能提升了近20%，而在AMD的32nm工艺计划中，AMD也将启用High-K电介质、金属栅极等技术，可以将芯片频率提高10%，同时将功耗降低10%。
据网易数码了解到的消息，由于自身能力有限，AMD将继续坚持自主生产与外包制作相结合的道路：微处理器大部分由自家工厂负责，少部分交给新加坡特许半导体(还可能再交给台积电一部分)，GPU显示芯片和芯片组则继续由台积电代工。
而在2010年底至2011年，AMD集成了图形核心的“加速处理器”(APU)也终将全面开花：四核心的“Llano”(大草原)同时出击主流桌面和笔记本，拥有4MB缓存，支持DDR3内存；双核心的“Ontario”(安大略湖)则是新的超便携方案，不过缓存容量只有1MB。
另外在高端桌面AMD会推出“Orochi”，具体规格未定，但核心数量会多于四个(六核心?八核心?)，缓存容量也会大于8MB，只是不会集成图形核心。
未来竞争很有趣：AMD将联合IBM首次领先于英特尔进军22nm？
IBM日前联合AMD合作生产出了首批采用22纳米工艺技术的SRAM芯片产品，而这一重磅消息的发布或将挑战英特尔在该领域的领先地位。SRAM芯片是典型的半导体行业测试新工艺手段的首选设备，是迈向微型处理器的关键第一步。
该设备是由AMD、飞思卡尔、IBM、意法半导体、东芝以及纳米科学与工程学院联合开发和制造的。这种22纳米工艺的SRAM芯片是从300mm晶圆上切割而来，采用传统的六晶体管设计方案，整个芯片面积仅有0.1平方微米。而英特尔的45纳米处理器的SRAM芯片面积为0.346平方微米。
新工艺采用传统的设计方式——在300 mm晶圆上设置6三极管。据称，该测试芯片的磁心存储匹元（memory cell）面积仅为0.1 μm2，这方面与Intel 0.346 μm2磁心存储匹元的面积相比具有不小的优势。
据了解，Intel虽然已经有了32nm工艺制程的计划，不过其22 nm SRAM测试晶圆至今还是遥遥无期。
IBM对于自己的32 nm制程技术同样信心十足，曾今许诺：“IBM的32 nm high-K metal gate制程工艺非常先进，其他任何一家公司所无法比拟。”不过，与IBM对于其全新的32 nm high-K metal gate技术守口如瓶不同，Intel其实已经于07年年底就开始利用high-K metal gate技术生产45 nm Penryn了。
尽管我们离22nm以及32nm芯片还有段时间，但是以目前的情况看，IBM以及AMD们在芯片制程工艺方面已经领先于Intel了，这也是最近几十年来头一次，看来芯片巨头们的竞赛越来越有趣了。
无论如何，我们将再次受益。