后发先至？TSMC拟2010年初产28nm芯片

    台积电（Taiwan Semiconductor Manufacturing Company）对外展示了有关28nm工艺的详细情况。据了解，台积电的28nm工艺基于的是双/三闸极氧化层(dual/triple gate oxide)工艺和氮氧化硅(Silicon Oxynitride;SiON)/多晶硅(poly Si)材料，而不是像其他公司那样基于high-k metal gate (HKMG)技术。台积电同时表示将会在2010年初的时候开始生产28nm工艺芯片产品。

    台积电研发副总裁Jack Sun表示：“这个合作是通过与客户的密切合作，从而推动了客户对28nm工艺新的需求。我们将继续追求领先于半导体产业的创新设计。”

    台积电的28nm工艺特性包括有高密度与低Vcc_min六电晶体静态随机存取记忆体(SRAM)元件，低漏电电晶体、已通过验证的传统类比/射频/电子熔线(analog/RF/electrical fuse) 元件、低电阻-电容延迟(low-RC)的低介电质铜导线(Cu-low-k interconnect)。这项技术展示了台积电提升SiON/Poly将其作为代功耗和高性能产品有效解决方案的能力。根据 2009 Symposia on VLSI 大会上的纸面公布，与前一代的45纳米工艺技术相较，新的SiON不但速度提高25~40%，操作功耗减少30~50%，还拥有低待机及低操作功耗的优势。

    在2008年9月份的公告中，TSMC就表示将会计划在2010年初推出28nm工艺。如果一切顺利，台积电也将会成为首家推出28nm工艺的公司，其他公司则要到2010年下半年才会跟上。