三星率先试产35nm NAND闪存

    DIGITIMES报道称，据存储厂商人士披露，三星电子近期已经开始联合闪存控制器设计合作伙伴，试产35nm工艺NAND闪存。此信号标志着闪存的30nm级工艺竞赛已经开跑。伴随工艺的提升，NAND闪存的主流容量也将升至32Gb。

    据称，东芝将从7月开始让NAND闪存生产线马力全开，而三星很可能也会同样提高产量。有消息称，东芝增产的原因主要是为了供应苹果的iPhone 3GS手机。从iPhone 3GS的拆解中我们就可以看到东芝闪存的身影，而这款搭载16GB或32GB闪存的手机上市三天已达百万销量，NAND需求量可见一斑。

    曝料人士分析，东芝的3-bit-per-cell技术MLC闪存可在一个存储单元内保存3bit数据，能够有效提高存储容量，降低成本，对三星的闪存霸主地位产生了威胁。早在今年2月，东芝就宣布了32nm 3-bit-per-cell工艺，预计在今年下半年就可以开始批量生产。

    根据存储颗粒交易跟踪网站DRAMeXchange的统计，六月下半月以来，主流容量16Gb的MLC NAND闪存颗粒价格保持在4.06美元横盘，而32Gb MLC颗粒价格则将在7美元上下，-3.33%到2.5%的幅度间浮动。