三星抢先量产40nm工艺2Gb DDR3内存颗粒

    三星公司今天宣布，他们已于业内首家开始使用40nm工艺量产2Gb容量DDR3内存颗粒。

    三星表示，相比上代50nm工艺，新的40nm工艺可以将生产效率提升60%。新的40nm 2Gb颗粒可以在1.35V电压下实现1.6Gbps传输率，比上代1Gb颗粒使用双die封装制造的2Gb芯片800Mbps的传输率提升了整整一倍。

    三星官方称，新颗粒除了将用于制造16GB、8GB、4GB容量的服务器用RDIMM内存外，还将用于制造台式机标准的UDIMM和笔记本SODIMM内存条，最大容量为单条4GB。从三星公布的照片来看，由于新工艺颗粒外形小巧，内存条单面即可安放超过16颗（图中为18颗）DRAM颗粒，排列方式相当特别。