三星3nm芯片将于第二季度开始量产

驱动中国2022年4月29日消息

根据三星电子周四宣布，将在本季度开始使用3GAE(早期3nm级栅极全能)工艺进行大规模生产，这也是首个使用环栅场效应晶体管(GAAFETs)的节点。“这是世界上首次大规模生产的GAA 3纳米工艺，将以此提高技术领先地位。”三星在一份报告中写道。

三星还表示，该工艺将实现 30% 的性能提升、50% 的功耗降低以及高达 80% 的晶体管密度（包括逻辑和 SRAM 晶体管的混合）。不过，三星的性能和功耗的实际组合将如何发挥作用还有待观察。