Intel、美光发布3bpc高密度NAND闪存

    Intel、美光联合宣布推出新型MLC NAND闪存芯片，每个单元可存储三比特数据，称之为“3-Bit-Per-Cell”(3bpc)技术。

    该技术由双方组建的NAND闪存合资企业IM Flash Technologies开发，已经利用34nm工艺生产线制造出目前市场上尺寸最小、性价比最高的32Gb NAND闪存芯片，面积仅为126平方毫米。

    Intel和美光表示，这种新型芯片最适合用于记忆卡、U盘等消费电子存储设备，因为这些应用场合中最需要考虑的就是高密度和高性价比。

    IM Flash计划从今年第四季度开始批量投产这种3bpc MLC NAND闪存芯片，并准备在今年晚些时候推出2xnm新工艺。