韩媒称长鑫HBM3良率仅25% 追赶海力士路还长

驱动中国9月10日消息，韩国媒体近日发文称，中国存储芯片制造商长鑫存储（CXMT）的HBM3内存良率仅为25%，意味着每生产4颗芯片就有3颗无法通过测试。该报道将这一数据与SK海力士等韩国厂商进行对比，认为长鑫存储在高带宽内存领域追赶韩系厂商仍有相当距离。

HBM（高带宽内存）是AI加速器、高性能计算等场景的核心存储器件，当前全球市场由SK海力士、三星电子、美光三家主导，其中SK海力士凭借与英伟达的深度绑定，占据超过一半的市场份额。HBM对制程工艺、堆叠封装、测试环节的要求远高于普通DRAM，良率直接决定成本与产能爬坡速度。

韩媒援引行业观察人士的说法指出，长鑫存储虽然在DRAM常规产品上已实现规模量产，但在HBM这一高端细分领域仍处于早期阶段。25%的良率意味着生产成本高企，难以形成对头部厂商的实质性价格压力，更遑论在性能与供应稳定性上展开正面竞争。

长鑫存储是中国大陆存储芯片自主化的核心力量之一，其DDR4、DDR5等产品已进入主流PC与服务器供应链。近年来，公司持续扩充产能并推进先进制程研发，HBM被视为其下一步必须攻克的技术高地。此前有消息称，长鑫存储已向部分客户送样HBM2E产品，但HBM3的量产进度尚未公开确认。

分析人士认为，良率数据反映的是特定时间点的工程状态，并不能完全代表长期技术潜力。半导体制造中，良率提升往往需要数年的工艺磨合与设备调试。三星电子、SK海力士在初代HBM产品上也经历过类似的良率爬坡过程，因此长鑫存储当前的低良率并不意外，关键在于后续迭代速度。

从产业格局看，HBM市场的竞争不仅是技术竞赛，还涉及设备供应、客户认证与生态绑定。美国对华半导体出口管制已限制先进制程设备与部分EDA工具的对华出口，这给长鑫存储的HBM研发增加了外部约束。不过，国产设备与材料替代进程正在加速，为本土存储厂商提供了另一条路径。

韩媒的报道带有明显的竞争视角，但也从侧面印证了中国存储厂商在高端内存领域的实质性进展。HBM3良率虽低，却标志着长鑫存储已经跨过从无到有的门槛。未来两年，随着AI算力需求持续爆发，HBM市场仍将高速增长，中国厂商能否在下一代HBM3E或HBM4上缩小差距，将是观察存储产业格局变化的关键窗口。