三星电机与高通合作开发2.1D先进封装

资讯 驱动中国 陈默 1,332次阅读
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三星电机与高通宣布合作,共同开发基于有机桥片的2.1D先进封装技术,旨在提升半导体集成度与性能,为高性能计算和AI芯片提供新方案。

驱动中国9月14日消息,半导体封装领域迎来重要合作动向。据外媒报道,三星电机与高通已达成合作,双方将共同开发基于有机桥片的2.1D先进封装技术。这一技术路线被视为在传统2D封装与更复杂的2.5D/3D封装之间提供一种兼顾性能与成本效益的中间方案,有望为下一代高性能计算和人工智能芯片的集成提供新的制造路径。

2.1D封装的核心在于使用有机材料制成的桥片(bridge die)来实现芯片间的高密度互连。与目前业界广泛采用的硅中介层(silicon interposer)方案不同,有机桥片仅需在芯片边缘的特定区域嵌入,无需覆盖整个封装基板,因此能够显著降低材料成本与制造复杂度。三星电机长期深耕有机基板与封装材料领域,其在精细线路、高多层布线以及热管理方面的技术积累,为这一新型封装方案的落地提供了关键支撑。

高通的角色则侧重于芯片设计与系统集成需求。随着移动计算、数据中心和汽车电子对带宽与功耗的要求持续攀升,高通需要在封装层面获得更灵活的互连能力,以支持其旗舰级应用处理器、基带芯片以及AI加速器的性能释放。与三星电机的合作,使高通能够从封装设计早期介入,针对特定芯片架构优化桥片布局与信号完整性,从而缩短产品开发周期并提升最终良率。

从行业背景来看,2.1D封装的出现是对当前封装技术经济性瓶颈的直接回应。传统2.5D封装依赖大面积硅中介层,虽然互连密度高,但成本昂贵且受限于硅晶圆尺寸,难以满足中高端芯片的大规模量产需求。而2.1D方案通过局部使用桥片,将高密度互连区域限制在芯片相邻的有限范围内,既保留了接近2.5D的电气性能,又大幅降低了基板面积与材料开销。这一特性使其特别适合应用于HBM(高带宽内存)与逻辑芯片的集成,以及多芯片let架构的异构封装。

三星电机在有机封装基板领域拥有长期量产经验,其面向移动处理器和网络设备的高端基板产品已广泛进入主流供应链。此次与高通的合作,标志着三星电机正从单纯的基板供应商向系统级封装解决方案提供商转型。对于三星集团整体而言,该合作也有助于强化其在半导体后端制造环节的话语权,与三星电子在晶圆代工和存储芯片领域的布局形成协同效应。

对于高通而言,掌握先进的封装互连技术是维持其芯片竞争力不可或缺的一环。在先进制程节点推进速度放缓的背景下,通过封装层面的创新来提升系统性能、降低功耗,已成为芯片设计公司的重要战略方向。与三星电机的联合开发,将使高通在应对英伟达、AMD等竞争对手的封装技术挑战时,拥有更具成本优势的备选方案。

目前,双方尚未公布具体的产品量产时间表以及目标应用领域。不过,业内分析认为,该技术有望率先应用于高端移动计算平台或AI推理加速卡中。随着人工智能模型对算力需求的指数级增长,2.1D封装所提供的高带宽、低延迟互连能力,将成为释放芯片性能潜力的关键基础设施之一。此次合作也反映出全球半导体产业链在封装环节的竞争正日趋激烈,从材料、设备到设计服务的全链条协同创新,正在成为决定下一代芯片性能上限的重要因素。

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