SK海力士与英特尔洽谈在美共建存储芯片制造

驱动中国9月16日消息，半导体行业传出重磅动向，韩国存储芯片巨头SK海力士与美国芯片厂商英特尔正就一项历史性的在美存储器芯片制造合作展开讨论。若该合作最终落地，将成为两家企业在存储制造领域前所未有的深度绑定，并深刻影响全球存储芯片的产能布局与竞争版图。

据外媒援引知情人士消息，双方探讨的合作模式涉及SK海力士在美国本土建立或运营先进的存储器芯片生产线，而英特尔则可能提供其位于美国的制造设施资源或相关技术支持。这一构想若付诸实施，意味着SK海力士将首次在美国大规模生产DRAM或NAND闪存芯片，从而绕开亚洲工厂在地缘政治与物流上的潜在风险，更贴近北美这一核心消费市场。

从产业背景看，存储芯片市场在经历2023年的深度下行周期后，2024年以来伴随AI服务器对高带宽存储器（HBM）的爆发式需求，DRAM与NAND价格持续回升，主要厂商稼动率与资本开支均显著上调。SK海力士作为HBM市场的领导者，其产能已接近满载，急需寻找新的扩张路径。而英特尔在IDM 2.0战略下正大力推动芯片代工业务，其在美国亚利桑那州、俄亥俄州等地拥有庞大的晶圆厂建设计划，但存储器并非其传统强项，与SK海力士合作可盘活其闲置产能并分摊巨额建厂成本。

对美国政府而言，推动先进存储芯片本土制造符合《芯片与科学法案》鼓励半导体供应链回流的政策导向。SK海力士若在美设厂，有望获得联邦及州层面的补贴与税收优惠，同时满足美国国防、云计算及汽车产业对安全供应链的迫切需求。此前，三星与台积电均已宣布在美投资建厂，SK海力士的跟进将补齐美国在存储制造环节的短板。

不过，双方谈判仍处于早期阶段，存在诸多变数。技术授权、知识产权归属、成本分摊以及美国外资审查委员会（CFIUS）的审批都是潜在障碍。此外，SK海力士在韩国本土的利川、清州工厂以及中国无锡、大连工厂的既有投资如何与新项目协调，也是管理层需要权衡的课题。分析人士指出，若合作仅停留在代工或技术授权层面，则对双方的战略价值有限；若涉及联合研发新一代存储制程，则可能改变行业技术演进节奏。

对于英特尔而言，存储业务曾是其在2018年出售NAND业务给SK海力士之前的核心板块之一。此次讨论合作，被外界解读为英特尔在剥离存储业务后重新寻求与存储巨头协同的务实之举，意在强化其代工生态的完整性，向客户提供从逻辑到存储的一站式制造方案。而SK海力士则可通过英特尔的美国工厂网络，快速获得本地化产能，规避未来潜在的关税壁垒与出口管制风险。

行业观察家认为，一旦合作达成，全球存储芯片市场将从“韩系双雄主导、美日参与”的旧格局，向“美韩联合制造、多区域供应”的新形态演进。这既是对当前地缘政治现实的回应，也是半导体产业资本开支高企背景下企业寻求风险共担的必然选择。后续进展值得持续关注，双方能否在年内达成框架协议，将成为检验合作诚意的关键节点。