封装厚度减半 三星推新堆叠封装技术

    闪存厂商三星宣布，最新推出全球最薄的Multi die堆叠封装技术，能够把将8颗闪存芯片压层叠封装在一颗仅得0.6mm的芯片之内，比较目前市场常见的8层封装技术所需厚度降低一半，尤其可针对手机和移动装置产品之中，在加入超薄大容量闪存芯片时，其体积仍可维持轻巧。

    最新研发的0.6mm芯片采用8层封装，内含包括八个完全相同的模具，采用32nm工艺，内建32十亿位元（千兆) NAND闪存芯片，每层芯片的实际厚度仅为15微米，并提供32千百万位元组(GB) NAND解决方案。

    据三星指出，由于一般的层叠封装技术在小于30微米时，很大机会无法承受外部压力，但透过Multi die堆叠封装技术，其关键之处在于突破了传统技术中每层厚度不能低于30微米的瓶颈，令封装晶片可在30微米的厚度底下实现双倍容量。

    据了解，Multi die堆叠封装技术原针对32GB闪存颗粒而设，主要是把8颗30nm工艺32Gb NAND闪存核心，透过层叠封装在一颗芯片内，令每层芯片的实际厚度仅为15微米，使最终封装完成的芯片达至0.6mm的厚度，估计如使用在手机和移动装置中，可以减省达40%的存储模组空间，间接使未来推出的手机和移动装置有更轻巧的设计空间。