三星公司预计下半年上市DDR3 30nm内存
在多年以前，三星公司就展示30nm 等级的 NAND 芯片，不过这项技术直到最近才算真正落实到量产的产品上头。继上个月所发表的 30nm 64GB moviNAND 及 32GB microSD 卡之后，紧接着发布的则是 2Gb 的 DDR3 DRAM 模块。和 50nm 制程相比，新制程不仅可以降低生产成本，耗电量也降低 30% 之多。 DDR3 内存预定于今年下半年正式上市。估计会内存市场带来巨大的变革。
并以此各种低功耗内存条，比如4GB DDR3 SO-DIMM，用在笔记本内的时候功耗只有3W，仅占笔记本总功耗的3％。当然在台式机、服务器、上网本和各种移动设备里，这种新工艺内存也都有广泛的用途。
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