美光/南亚成功开发42nm DDR3内存

    DDR3内存虽然已经开始广泛普及，但是单颗粒的容量和频率依旧是内存产品聊不完的话题。日前，美光和南亚两家内存公司正式宣布其已经顺利完成了42nm DRAM工艺下2GB DDR3内存产品的开发。

    并且两家企业表示，随着日后42nm工艺的不断提高，新的DDR3内存颗粒的工作性能将进一步得到提升，成品同步运行频率将达1866MHZ。另一方面，随着工艺水平的不断提高，颗粒的体积也将缩小，而同样体积的芯片，容量将可以达到16GB。另外由于采用铜互联技术，使得该芯片的扩展性和可靠性大大提升，而1.35V的工作电压也使得芯片的功耗大大缩减为原产品的70%。

    两家公司表示，目前采用42nm工艺的内存下线时间初定为今年第二季度，但是要想等到内存成品上市估计要等到今年下半年了。