硬盘数据密度或达每平方英寸10太位

      据美国物理学家组织网5月11日(北京时间)报道，发表在最新一期《自然·光子学》杂志上的研究报告显示，研究人员展示了一种可结合两种硬盘写入方式的新型数据存储方法，其可将目前硬盘约为每平方英寸数百吉字节(1吉字节相当于1000兆字节)的存储密度提升至1太位(1太字节相当于100万兆字节)，并有望将介质的存储容量最高提升到每平方英寸10太位左右，可被应用于光刻、生物传感器和纳米操控等诸多领域。

      两种写入方式之一的“热辅助磁记录技术”(TAR)通过激光照射写入点对盘片微粒进行加热的方式，加以辅助磁头写入来改变记录单元的属性。即硬盘介质受热后，会使磁盘微粒按一定方向被磁化，数据位就形成了“1”和“0”的表示。热量的产生能更容易地将数据记录在盘片上，之后随着快速冷却，又可使已写入的数据变得稳定，从而达到永久存储的目的，而写入时间也可小幅缩短。

      事实上，当硬盘上的存储单元彼此距离极小时，便会产生所谓的超顺磁性现象。硬盘读写头在向存储单元中写入数据时产生的热量会致使该存储单元周围的数据损坏，而随着硬盘存储密度的提升，避免超顺磁现象发生也变得越来越有难度。而此时，另一种名为“位式记录技术”(BPR)的写入方式会对记录介质表面进行光刻处理，利用磁岛分隔每个独立的写入事件，从而使“超顺磁效应”不会对周围的存储单元造成影响。

      研究人员表示，单独使用这两种写入技术之一时，数据的存储密度并不会有太大的提升，最多可提升到每平方英寸200吉字节至300吉字节左右。而将两种技术结合使用，“位式记录技术”的磁岛可使“热辅助磁记录技术”因存储介质颗粒偏小造成的不稳定性不再棘手，而“热辅助磁记录技术”则可放宽“位式记录技术”对读写头尺寸的苛刻要求，弥补两种技术各自的缺陷，从而实现存储密度的极大提升。而随着单位存储密度的提升，硬盘容量也有望提升数十倍，令传统硬盘重获新生。