英特尔CTO称前沿晶圆产量上限约两倍

驱动中国10月23日消息，英特尔首席技术官普什卡·拉纳德表示，即使资金充足，全球尖端晶圆产量也难以扩大十倍，更现实的增长上限约为两倍。这一判断来自其在Dwarkesh播客中对AI算力扩张供应链约束的回应。

拉纳德在播客节目中回应关于全球是否具备足够工具将前沿晶圆产量提升十倍的问题。他说，十倍难以实现，但两倍具有可能性。他认为，该限制源于整个半导体供应链协同扩产的能力，而非某个单一环节。

拉纳德认为，过去十年AI计算能力大致保持每年三倍增长，与此同时，先进芯片制造所需关键设备、洁净室以及晶圆厂规模逐渐成为产能瓶颈。

具体来看，ASML每年生产EUV光刻机不足100台，本十年末也难以显著增加产出；英特尔、台积电，以及SK海力士等存储厂商，共同争夺这些设备。

拉纳德解释，当前下单设备通常约18个月后交付，对应产能要到2028年前后才能落地；新建晶圆厂也无法自动带来更多晶圆，关键原因在于设备供应不足。

拉纳德认为，若要整体提升产量，设备供应商、其上游供应商以及更底层子供应商需要同步增加产能。光刻机、关键零部件、材料、检测设备和工厂建设等环节只要有一处受限，先进晶圆最终产出便难以显著提升。