美光成功推34nm 8芯片堆叠的16G闪存

    美光公司上周末宣布，推出业界存储密度最高的多芯片堆叠封装(MCP) NAND闪存产品，在一颗手机闪存芯片内堆叠封装8块芯片，总容量超过16GB。

    该方案在一颗芯片中，封装了以下组件：

• e-MMC闪存系统，包括一个控制器和四颗32Gb 34nm MLC闪存颗粒，可以为手机提供高达16GB的大容量存储空间，省去外部存储卡插槽。

• 2Gb低功率DDR DRAM，工作电压1.8V，为手机提供256MB内存空间。

• 2Gb高速SLC NAND闪存颗粒，256MB空间用来存储和执行关键代码和应用。

    手机厂商只需要在电路板上安装这一颗芯片，就可以得到256MB内存，256MB高速SLC闪存和16GB MLC闪存，相比之前的多芯片方案最高可节约40%的空间，方便设计出体积小巧，同时性能、功能仍十分强大的新款手机产品。

    美光表示该16GB MCP方案已经开始向包括华硕在内的几家手机厂商提供样品，本季度内投入量产。同时，4GB、8GB等容量稍小的堆叠封装产品则已经开始量产。