功耗将降低90% Intel成功研发新半导体材料

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Intel公司日前透露,他们在半导体新材料的研究上又取得了重大突破,使用混合元素材料制造出了硅基P-Channel晶体管。 该混合材料又被称为Group III-V材料,因为它包含化学元素周期表中III族到V族的多种元素,而传统的硅(IV族元素)晶体管也因此被称为Group IV

Intel公司日前透露,他们在半导体新材料的研究上又取得了重大突破,使用混合元素材料制造出了硅基P-Channel晶体管。

该混合材料又被称为Group III-V材料,因为它包含化学元素周期表中III族到V族的多种元素,而传统的硅(IV族元素)晶体管也因此被称为Group IV材料。

一年前,Intel同样使用Group III-V材料,制造出了硅基N-Channel晶体管。而N-Channel和P-Channel晶体管正是CMOS电路的两大组成部分,因此现在新材料P-Channel晶体管的诞生标志着Intel已经可以使用Group III-V新材料制造实际电路。

Intel表示,新混合材料制成的P-Channel晶体管性能前所未有。和去年研发的新材料N-Channel晶体管一起制成的半导体电路,其需要的电压只是现有产品的一半,功耗更是只有当前处理器的十分之一,前景十分广阔。

 

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