1b DRAM晶圆成本较台积电N2溢价54% 内存短缺致价格倒挂

驱动中国9月25日消息，韩国半导体分析机构Kernel Insight最新数据显示，1b DRAM晶圆每平方毫米成本达0.654美元（现汇率约合4.4元人民币），较台积电N2晶圆的0.424美元（现汇率约合2.8元人民币）高出54%。这一数据揭示了当前半导体市场中，工艺相对简单的存储产品单位面积成本反而高于先进逻辑制程的异常现象。

1b DRAM晶圆是指采用1b工艺节点（sub-10nm级）制造的DDR5动态随机存取存储器。1b代表存储单元特征尺寸进入10纳米以下区间，位密度约每平方毫米0.436 Gb。该类型晶圆主要用于生产DDR5内存模组，尤其是高容量规格的台式机、笔记本与服务器内存条。具体应用包括单条容量16 GB、32 GB、64 GB，部分高端型号已达128 GB乃至512 GB的DDR5台式机内存条；包括SO-DIMM规格与板载LPDDR5/DDR5颗粒，用于高性能轻薄本与游戏本的DDR5笔记本内存；以及部分用于HBM3E等AI加速器专用显存堆叠基座颗粒的高带宽内存（HBM）配套。

从制造流程来看，DDR5的制造流程远比台积电N2节点硅晶圆简单。台积电N2属于2纳米级先进制程，需多重曝光、极紫外光刻等复杂工艺。1b DRAM虽为亚10纳米级，但结构相对单一，良率控制难度较低。按常理推断，工艺更简单的产品单位面积成本应更低，但当前市场呈现完全相反的定价格局。

通用DRAM长期供应短缺成为价格倒挂的核心驱动因素。AI服务器建设潮持续消耗高带宽内存与大容量DDR5模组，而三大存储厂商产能扩张节奏滞后于需求增速。当前定价范式短期内难以回归常态。SK海力士CEO公开表示，AI产业无法脱离存储器存在，公司正加速全球生产基地的下一代内存布局。宏碁董事长陈巍预测，内存短缺不会延续至2030年，但价格在2027年中期缓解前仍将持续攀升。