长鑫科技拟投241亿研发与108亿测试基地

驱动中国9月28日消息，长鑫科技于9月28日晚间披露使用部分超募资金投资建设新项目的公告。公司计划将超募资金投向技术研发项目，并向全资子公司长鑫存储产品（合肥）有限公司提供资金，用于存储器晶圆后道测试基地二期项目建设。

根据公告安排，长鑫科技拟使用超募资金130亿元新建技术研发项目。该项目建设周期为30个月，项目总投资金额为241亿元，主要用于技术研发。

在存储器晶圆后道测试基地二期项目方面，长鑫科技拟通过增资和借款方式，向长鑫存储产品（合肥）有限公司提供超募资金50亿元，由其负责建设。该项目计划建设一座测试工厂，面向DRAM存储芯片提供测试及模组组装服务，项目总投资金额为108亿元，建设周期为37个月。

长鑫科技在公告中说明，测试环节在DRAM生产过程中具有关键作用。由于测试设备具有专用性，随着公司产能持续提升和产品种类增加，可能面临外部封测厂测试产能不足、新增投资配套不足等情况。为避免测试产能成为制约因素，并保障供应链安全，公司认为需要增加自建测试产能投入。

长鑫科技同时表示，自建存储器晶圆后道测试和模组项目有助于更灵活地协调测试产能利用，降低DRAM芯片测试成本，提升运营效率和测试技术水平，并推动公司进一步完善IDM模式、增强整体竞争力。