SK海力士拟在美建NAND厂 争取大连设备许可

驱动中国10月15日消息，SK海力士正在评估一项建厂方案：通过在美国设立新的NAND生产设施，向美国政府争取为中国大连工厂引入更多美国半导体设备的许可。路透社援引两名知情人士称，SK海力士计划借大连工厂产能提升带来的收入，支撑美国新厂投资，并逐步扩展其在美制造布局。

在AI与云计算数据中心需求带动下，全球存储芯片供给偏紧，NAND闪存价格上行，相关厂商开始考虑扩大产能。与此同时，美国政府也在推动SK海力士、三星电子等海外半导体企业赴美建厂，以提升美国本土制造能力并创造就业岗位。

在大连工厂方面，SK海力士旗下美国子公司Solidigm希望利用尚未充分使用的厂房区域加装设备，用于NAND闪存生产。该厂使用的半导体设备来自美国厂商，包括泛林集团、应用材料和科磊。相关厂区名为Mod B，2023年建成，但因当时存储市场低迷，设备安装未全部完成。知情人士称，Mod B已安装部分设备，仍可容纳更多生产工具；Solidigm已申请出口许可证，希望采购额外设备投入该区域。

SK海力士对路透社表示，Mod B的设备安装工作正在与美国政府密切协商，并在获得授权的情况下进行。公司同时强调，目前并未寻求扩大大连Mod B的产能。Solidigm拒绝对此事置评。

路透社9月曾提到，Solidigm正考虑在美国建设NAND闪存工厂，纽约州北部是当时主要候选地点之一。知情人士表示，若大连工厂提高产量，新增收入可用于支付美国新厂建设费用，并为后续扩大美国本土生产提供过渡。另一名知情人士透露，Solidigm也在考虑最早于2027年启动首次公开募股，以筹集可能用于新厂建设的资金。

除美国新建NAND工厂计划外，SK海力士还在与英特尔洽谈租用其位于俄亥俄州、规划已久的半导体制造设施部分空间。该公司也已在印第安纳州启动先进封装工厂建设，主要面向高带宽内存产品。