三星电子2027年HBM产能售罄 2028年DRAM供应趋紧

驱动中国10月29日消息，三星电子在2026年第三季度财报电话会上披露，公司2027年HBM产能已按既定目标价格售罄，2028年整体DRAM内存供应预计维持紧张。

三星电子表示，2026年第三季度DRAM和NAND出货容量均上涨个位数百分点，平均销售价格分别增长20%和接近10%。公司预计，2026年第四季度DRAM出货容量将增长15%至20%，NAND出货容量将增长约15%。

从市场供需看，存储半导体整体仍处于供大于求状态。三星电子高管提到，公司近期收到大量QLC需求；存储器业务已与10家客户签署长期供货协议，并正与另外10家客户就多年期合同进行洽谈。

随着对长期供货协议形式感兴趣的客户扩展到移动、汽车、网络领域，三星电子正稳步推进通过多年期合同锁定60%至70%产出的计划。客户对滚动续签的需求超出公司预期，部分客户希望在协议期内追加供应。

在HBM业务方面，三星电子称已提前实现HBM细分市场份额与整体DRAM市场份额持平的目标。2026年第三季度，HBM4销售额环比增长超过3倍，已占HBM总营收的60%。

晶圆代工业务方面，三星电子计划加大对韩国和美国晶圆厂的投资，并希望同步建设先进封装产能。公司目前正就包括建设更多晶圆厂在内的扩展计划进行评估。