SNB-E处理器TDP将不超过130W

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尽管Intel的下一代顶级发烧处理器Sandy Bridge-E的规模将急剧扩大,规格也会水涨船高,但是得益于架构和工艺的双重控制器,却并不会更加耗电。Sandy Bridge-E处理器将在今年第四季度发布,首批三款型号,均采用32nm工艺制造,LGA2011封装接口,支持四通道DDR3内存、PCI

尽管Intel的下一代顶级发烧处理器Sandy Bridge-E的规模将急剧扩大,规格也会水涨船高,但是得益于架构和工艺的双重控制器,却并不会更加耗电。Sandy Bridge-E处理器将在今年第四季度发布,首批三款型号,均采用32nm工艺制造,LGA2011封装接口,支持四通道DDR3内存、PCI-E 3.0总线和多达40条PCI-E通道,搭配新的X79单芯片组。

Sandy Bridge-E最多会拥有六个核心、十二个线程、3.3GHz主频、15MB三级缓存,不过热设计功耗仍会维持在130W,至少两款六核心如此,频率高达3.6GHz的四核心还不完全确认。

相比之下,目前的LGA1366平台顶级型号Core i7-990X Extreme热设计功耗也是130W,同样32nm工艺、六个核心十二个线程,三级缓存为12MB。

Sandy Bridge-E发烧处理器初步官方规格

 

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